理工学部教授 竹内 健がReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドSSDなどを開発しました
理工学部教授 竹内 健(電気電子情報通信工学科) の研究成果について、プレスリリースを行いました。
概要:
このたび、高速に書き換えが可能な抵抗変化型メモリ(ReRAM)と大容量のフラッシュメモリを3次元に組み合わせた、ハイブリッド構造のSSDアーキテクチャを開発しました。あわせて、SSDに書き込むデータのサイズや書き換えの頻度など、データの特徴を把握した上で、書き込むメモリの領域を最適に制御するメモリ制御システムを開発しました。その結果、メモリの断片化が抑制され、性能を11倍化、電力を93%削減、寿命を7倍化することに成功しました。本技術により、スマートフォンのバッテリ保持の長時間化や、データセンタの低電力化が期待できます。
本研究成果は、6月13日から15日(米国ハワイ時間)に米国・ハワイで開催される「VLSI回路シンポジウム」で発表されます。また、本研究は中央大学研究開発機構「高信頼低電力VLSIメモリシステム研究プロジェクト」にて実施しています。ご興味をお持ちの方は以下のリンク先をご覧ください。
リンク:プレスリリース「性能を11倍化、電力を93%削減、寿命を7倍化する、ReRAMとフラッシュメモリのハイブリッドSSD」